美科学家发明辉钼忆阻器 或将改变未来半导体领域方向 朱 瑞 • 2019年12月5日 pm3:35 • B股 据美国科学学术网3日报道,美科学家最近使用辉钼制成了辉钼基柔性忆阻器,可以用其制造低功耗的超高速存储与计算芯片,科学学术网认为这一发明很可能让半导体芯片世界从“硅时代”跨越到“辉钼时代”。 A股公司中,洛阳钼业(3.62 +0.28%,买入)、金钼股份(7.29 -0.14%,买入)等涉及辉钼相关业务。 原创文章,作者:朱 瑞,如若转载,请注明出处:http://gphq.6ke.com.cn/?p=3001 发表评论 取消回复 邮箱地址不会被公开。 必填项已用*标注*昵称: *邮箱: 网址: 记住昵称、邮箱和网址,下次评论免输入